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聯(lián)系金蒙新材料
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對(duì)材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學(xué)性能要求。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達(dá)到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學(xué)部件性能要求。 采用反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基體結(jié)合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅(qū)體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應(yīng)氣體配比、氣體流場、溫度場等關(guān)鍵工藝參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大面積、均勻CVDSi
- 碳化硅陶瓷反應(yīng)連接技術(shù)[ 08-22 17:23 ]
- 全封閉、中空部件的制備一般采用連接工藝獲得，目前常用的陶瓷連接方法主要有釬焊、擴(kuò)散焊等，但這些方法均存在工藝復(fù)雜、焊接料性能同碳化硅基體差別大等缺點(diǎn)，難以滿足光刻機(jī)等集成電路制造裝備對(duì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)部件的使用要求。 根據(jù)反應(yīng)燒結(jié)碳化硅的工藝特點(diǎn)，將待粘接零部件進(jìn)行預(yù)處理，并通過粘接料對(duì)制品進(jìn)行粘接，隨后再進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，使制品的連接與反應(yīng)燒結(jié)同步完成。通過調(diào)節(jié)粘接料的組分、控制連接工藝，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)部件的致密、高強(qiáng)度、無縫隙粘接。
- 高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝[ 08-20 16:21 ]
- 雖然采用凝膠注模成型工藝可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備，但該工藝對(duì)模具要求高，在制備復(fù)雜大尺寸部件時(shí)需設(shè)計(jì)和制造模具，增加了時(shí)間成本和模具成本，一定程度上制約了該工藝在陶瓷結(jié)構(gòu)件批量化生產(chǎn)中的應(yīng)用。另一方面，對(duì)一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝膠注模成型工藝則無法滿足其尺寸精度要求。 與傳統(tǒng)“自下而上”的無模成型工藝不同，陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝，其原理類似金屬材料或木材的加工過程如車、
- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]
- 凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎(chǔ)，該工藝是一種精細(xì)的膠態(tài)成型工藝(Colloidalprocessing)，可實(shí)現(xiàn)大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)坯體的高強(qiáng)度、高均勻性、近凈尺寸成型，陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。 就碳化硅在光刻機(jī)構(gòu)件中的應(yīng)用而言，分散良好、高穩(wěn)定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優(yōu)質(zhì)、均勻結(jié)構(gòu)碳/碳化硅坯體的前提。此外，料漿具有高的固相體積分?jǐn)?shù)則可以有效減小陶瓷坯體干燥時(shí)的收縮，有利于實(shí)現(xiàn)陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應(yīng)地，陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題：一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點(diǎn)[ 08-18 16:52 ]
- 集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長技術(shù)及裝備、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)和驅(qū)動(dòng)技術(shù)，對(duì)結(jié)構(gòu)件的精度和結(jié)構(gòu)材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機(jī)中工件臺(tái)為例，該工件臺(tái)主要負(fù)責(zé)完成曝光運(yùn)動(dòng)，要求實(shí)現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級(jí)超精密運(yùn)動(dòng)，如對(duì)于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機(jī)，其工件臺(tái)定位精度要求達(dá)到10nm，掩模硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達(dá)到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度
