昭和電工(SDK)實(shí)施8英寸碳化硅晶圓技術(shù)開發(fā)9年計(jì)劃
據(jù)粉體圈消息:5月23日,昭和電工(SDK)提出的“8英寸SiC晶圓技術(shù)開發(fā)計(jì)劃”被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目”。而就在今年3月,昭和電工剛剛宣布正式量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。
2020年10月,日本政府宣布其目標(biāo)是到2050年實(shí)現(xiàn)碳中和。能源、貿(mào)易和工業(yè)部(METI)為此設(shè)立2萬(wàn)億日元的綠色創(chuàng)新基金,并由NEDO出面對(duì)創(chuàng)新進(jìn)行相應(yīng)的投資。
作為獨(dú)立的SiC外延片供應(yīng)商,SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片,全球市場(chǎng)占有率領(lǐng)先。在該項(xiàng)目中,SDK計(jì)劃利用其知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合和開發(fā)專長(zhǎng),開發(fā)直徑為8英寸的SiC外延片,并將缺陷密度降低至少一個(gè)數(shù)量級(jí),從而降低下一代電源的生產(chǎn)成本半導(dǎo)體。在該項(xiàng)目的九年實(shí)施期間(從2022財(cái)年到2030財(cái)年),SDK旨在與日本國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所(AIST)合作開發(fā)技術(shù)以加快SiC塊狀單晶的生長(zhǎng)速度。
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