碳化硅陶瓷制作方法主要有反應燒結法、無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結。

  碳化硅的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻，經干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態(tài)Si接觸，坯體中的C與滲入的Si反應，生成β-SiC，并與α-SiC相結合，過量的Si填充于氣孔，從而得到無孔致密的反應燒結體。反應燒結碳化硅通常含有8%的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整最初混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度級配，C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。實驗表明，采用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的碳化硅陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多，反應燒結碳化硅相對較低。另一方面，碳化硅陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結碳化硅陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低于900℃時，幾乎所有碳化硅陶瓷強度均有所提高;當溫度超過1400℃時，反應燒結碳化硅陶瓷抗彎強度急劇下降。(這是由于燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致)對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的碳化硅陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。

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