光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵制造裝備中某些高性能光學(xué)元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學(xué)性能要求。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅經(jīng)拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達(dá)到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學(xué)部件性能要求。

采用反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基體結(jié)合化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅(qū)體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應(yīng)氣體配比、氣體流場、溫度場等關(guān)鍵工藝參數(shù)，可實現(xiàn)大面積、均勻CVDSiC膜層的制備，使反射鏡鏡面精度可接近國外同類產(chǎn)品性能指標(biāo)。