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碳化硅陶瓷的基本特性

文章出處:網責任編輯:作者:人氣:-發(fā)表時間:2020-04-01 15:24:00【
  碳化硅陶瓷材料具有高溫強度大、高溫抗氧化性強、耐磨損性能好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數小、熱導率大、硬度高、抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性,在汽車、機械化工、環(huán)境保護、空間技術、信息電子、能源等領域有著日益廣泛的應用,已經成為一種在很多工業(yè)領域性能優(yōu)異的其他材料不可替代的結構陶瓷。
 
基本特性
一、化學屬性
 
1、抗化合性:碳化硅材料在氧氣中反應達到1300℃時會生成二氧化硅保護層,抵制碳化硅繼續(xù)被化合。1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。
 
2、耐酸堿性:在耐酸、堿及化合物的效用方面,因為二氧化硅保護膜的效用,碳化硅的抗酸能力非常非常強,抗堿性稍差。
 
二、物理性能
 
1、密度:各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分相近,通常情況下,應該是3.20g/mm,其碳化硅磨料的堆積密度在1.2--1.6g/mm之間,其高低取決于其粒度號、粒度合成和顆粒形狀的大小。
 
2、硬度:碳化硅的硬度為:莫氏9.5級。單晶硅的硬度為:莫氏7級。多晶硅的硬度為:莫氏7級。都是硬度相對較高的物料。努普硬度為2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
        
3、導熱率:碳化硅制品的導熱率非常高,熱膨脹參數小,抗熱震性非常高,是優(yōu)質的耐火材料。
 
三、電學屬性
        
恒溫下工業(yè)碳化硅是一種半導體,屬雜質導電性。高純度碳化硅隨著氣溫的升高內阻率降低,含雜質碳化硅按照其含雜質不一樣,導電性能也不一樣。
 
四、其它屬性
       
1、親水性好。
 
2、在電性能方面,SiC具有半導體特性,少量雜質的引入會使其表現出良好的導電性。
 
3、優(yōu)良的導熱性。

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