碳化硅燒結(jié)工藝
無壓燒結(jié)
無壓燒結(jié)被認為是SiC燒結(jié)最有前途的燒結(jié)方法,根據(jù)燒結(jié)機理的不同,無壓燒結(jié)又可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。S.Proehazka通過在超細β-SiC粉體(含氧量小于2%)中同時加入適量B和C的方法,在2020℃下常壓燒結(jié)成密度高于98%的SiC燒結(jié)體。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3為添加劑在1850-1950℃燒結(jié)0.5μm的β-SiC(顆粒表面含有少量SiO2),獲得的SiC陶瓷相對密度大于理論密度的95%,并且晶粒細小,平均尺寸為1.5μm。
熱壓燒結(jié)
Nadeau指出,不添加任何燒結(jié)助劑,純SiC只有在極高的溫度下才能燒結(jié)致密,于是不少人對SiC實行熱壓燒結(jié)工藝。關(guān)于添加燒結(jié)助劑對SiC進行熱壓燒結(jié)的報道已有許多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金屬添加物對SiC致密化的影響,發(fā)現(xiàn)Al和Fe是促進SiC熱壓燒結(jié)最有效的添加劑。F.F.Lange研究了添加不同量Al2O3對熱壓燒結(jié)SiC的性能影響,認為熱壓燒結(jié)致密是靠溶解--再沉淀機理。但是熱壓燒結(jié)工藝只能制備形狀簡單的SiC部件,而且一次熱壓燒結(jié)過程中所制備的產(chǎn)品數(shù)量很小,因此不利于工業(yè)化生產(chǎn)。
熱等靜壓燒結(jié)
為了克服傳統(tǒng)燒結(jié)工藝存在的缺陷,Duna以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結(jié)工藝,在1900℃便獲得了密度大于98%、室溫抗彎強度高達600MPa左右的細晶SiC陶瓷。盡管熱等靜壓燒結(jié)可獲得形狀復(fù)雜的致密SiC制品,并且制品具有較好的力學性能,但是HIP燒結(jié)必須對素坯進行包封,所以很難實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
反應(yīng)燒結(jié)
反應(yīng)燒結(jié)S iC又稱自結(jié)合SiC,是通過多孔坯件同氣相或液相發(fā)生化學反應(yīng),使坯件質(zhì)量增加,孔隙減小,并燒結(jié)成具有一定強度和尺寸精度的成品的工藝。是由α—SiC粉和石墨按一定比例混臺成坯體后,并加熱到1650 ℃左右,同時熔滲 Si或通過氣相Si滲入坯體,使之與石墨起反應(yīng)生成β—SiC,把原先存在的α—SiC顆粒結(jié)合起來。 如果滲Si完全,就可得到完全致密、無尺寸收縮的反應(yīng)燒結(jié)體。同其它燒結(jié)工藝比較,反應(yīng)燒結(jié)在致密過程中的尺寸變化小,可以制造尺寸精確的制品,但燒結(jié)體中相當數(shù)量SiC的存在,使得反應(yīng)燒結(jié)的SiC陶瓷高溫性能較差。
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