據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)訊近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國(guó)）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）管理委員會(huì)審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細(xì)則》，上述團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)通過(guò)，分配編號(hào)為：CASA024。

《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiCMOSFET）開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法，評(píng)價(jià)器件在承受規(guī)定動(dòng)態(tài)柵極應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復(fù)承受柵極正偏壓和柵極負(fù)偏壓，以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化，從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。