我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料，具有較高的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)價(jià)值，在我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。

碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)越明顯，長期以來，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達(dá)國家壟斷，這無疑突出了一個(gè)事實(shí)，即碳化硅晶片技術(shù)門檻極高。每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)設(shè)備、工藝要求極為嚴(yán)格，其中一個(gè)環(huán)節(jié)出錯(cuò)，那就意味著昂貴的高純度碳化硅原料被浪費(fèi)掉了。所以說，其生產(chǎn)過程就如同高手過招，不允許出現(xiàn)任何失誤，一著不慎滿盤皆輸。