半絕緣型碳化硅襯底的主要應(yīng)用
半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應(yīng)用于眾多領(lǐng)域,以無線通信基礎(chǔ)設(shè)施和國防應(yīng)用為主。無線通信基礎(chǔ)設(shè)施方面,5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點,要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件,以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢,能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能,成為5G基站功率放大器的主流選擇。在國防軍工領(lǐng)域,碳化硅基氮化鎵射頻器件已經(jīng)代替了大部分砷化鎵和部分硅基LDMOS器件,占據(jù)了大部分市場。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 碳化硅微粉:噴砂與磨料行業(yè)中的明星材料
- 碳化硅、白剛玉等磨料微粉是如何進(jìn)行顆粒整形?
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)
- 碳化硅陶瓷反應(yīng)連接技術(shù)
- 高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝
- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點
- 固相燒結(jié)碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點
- 如何實現(xiàn)碳化硅晶圓的高效低損傷拋光?
- 一張圖:碳化硅這樣提純,能行嗎?