在進行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數(shù)差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。

錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術非常成熟而且簡單，通過調(diào)整焊錫成分比例，改進錫膏印刷技術，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實現(xiàn)極高質(zhì)量的焊接工藝。但焊錫熱導率較低，且會隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問題也是模塊失效的一大原因。

燒結銀連接技術憑借其極高的熱導率，低燒結溫度，高熔點等優(yōu)勢，有望取代焊錫成為SiC器件的新型連接方法。銀燒結工藝通常是將銀粉與有機溶劑混合成銀焊膏，再印刷到基板上，通過預熱除去有機溶劑，然后加壓燒結實現(xiàn)芯片和基板的連接。為降低燒結溫度，一種方法是增大燒結中施加的壓力，但同時也增加了相應的設備成本，且容易造成芯片損壞；另一種方法是減小銀顆粒的體積如采用納米銀顆粒，但顆粒加工成本高，所以很多研究繼續(xù)針對微米銀顆粒進行研究以得到合適的燒結溫度、壓力、時間參數(shù)來現(xiàn)更加理想的燒結效果。

此外，為確保碳化硅器件穩(wěn)定工作，陶瓷基板和金屬底板也需要具備良好的高溫可靠性。不同材料間熱膨脹系數(shù)差異越大，材料層間熱應力就越高，可靠性越低。所以選用熱導率高、熱膨脹系數(shù)值和碳化硅材料相近的材料是提高封裝可靠性和關鍵所在。