8月12日消息，經過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術攻關，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，同時這也是晶盛在寬禁帶半導體領域取得的又一標志性成果。

據了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。

在技術上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個難點問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。

此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。

SiC晶體生長和加工技術自主可控是搶占未來競爭制高點的關鍵。晶盛機電通過自主開發(fā)的設備、熱場和工藝技術，不斷延伸產品系列。

2017年，晶盛開始布局碳化硅業(yè)務。

2020年，建立長晶和加工中試線，SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸，進一步縮小國內外技術差距，保障我國碳化硅產業(yè)在關鍵核心技術上的自主可控。

而此次8英寸SiC導電單晶研制成功，也極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國際競爭力。

據悉，晶盛機電創(chuàng)建于2006年12月，目前已組建原料合成+長晶+切磨拋的中試產線,，并完成6-8英寸長晶熱場和設備開發(fā)，產出6英寸襯底，在總厚度變化率（TTV）可穩(wěn)定達到＜3μm。

據悉，晶盛機電攜碳化硅襯底晶片生產項目落戶寧夏。該項目總投資50億元，該項目分兩期建設，將建設約7.5萬平方米廠房及輔助設施，主要生產6英寸及以上導電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預計3月開工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產后預計年產6英寸碳化硅晶片40萬片，年營業(yè)收入24億元。