關(guān)于石墨烯的制備和碳化硅(SiC)石墨烯的制備方法主要有兩類：機(jī)械方法和化學(xué)方法。
    機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱碳化硅(SiC)的方法;化學(xué)方法是化學(xué)還原法與化學(xué)解理法。其中，加熱碳化硅(SiC)的方法是通過(guò)加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。
    具體過(guò)程是：將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過(guò)電子轟擊加熱，除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之度升高至1250~1450℃后恒1min~20min，從而形成極的石墨層，經(jīng)過(guò)幾年的探索，Berger等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱度決定，但制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。加熱SiC的方法是一條以商品化碳化硅顆粒為原料，通過(guò)高裂解規(guī)模制備高品質(zhì)無(wú)支持(Free standing)石墨烯材料的新途徑。通過(guò)對(duì)原料碳化硅粒子、裂解度、速率以及氣氛的控制，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯結(jié)構(gòu)和尺寸的調(diào)控。這是一種非常新穎、對(duì)實(shí)現(xiàn)石墨烯的實(shí)際應(yīng)用非常重要的制備方法。
    經(jīng)過(guò)數(shù)十年不懈的努力，目前，全球只有少數(shù)的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)研發(fā)出了碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)化方面，只有少數(shù)幾家公司能夠提供碳化硅晶片，國(guó)內(nèi)的碳化硅晶片的需求大多賴于進(jìn)口。目前，全球市場(chǎng)上碳化硅晶片價(jià)格昂貴。
    從公開(kāi)資料上看，目前我國(guó)能生產(chǎn)碳化硅(SiC)的企業(yè)有天富熱電(600509)、東方鉭業(yè)(000962)和新大新材(300080)。其中天富熱電(600509)是唯一能生產(chǎn)碳化硅(SiC)晶片的公司，其生產(chǎn)的碳化硅晶片可用于制備石墨烯的原料。而后兩個(gè)公司生產(chǎn)的是刃料級(jí)的碳化硅。因此，如果采用這種方法生產(chǎn)石墨烯，在國(guó)內(nèi)只能由天富熱電提供原料。天富熱電的碳化硅(SiC)晶片由公司旗下的天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司生產(chǎn)，年產(chǎn)能是3萬(wàn)片。截止2010年，公司的碳化硅晶片業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)盈虧持平。目前，公司沒(méi)有接到碳化硅晶片的大訂單。
     如果，我國(guó)加熱碳化硅(SiC)的方法能研究成功并產(chǎn)業(yè)化，那么公司的碳化硅晶片業(yè)務(wù)或?qū)⒂瓉?lái)爆發(fā)性增長(zhǎng)。