硅碳棒質(zhì)地硬而脆，耐急冷急熱，高溫下不宜變形，良好的化學(xué)穩(wěn)定性，抗酸能力強(qiáng)。在1300度的爐溫下，硅碳棒的使用負(fù)荷密度為14*2/3(W/cm2),算出每一只棒的功率數(shù)，再由總功率和每一只棒的分功率算出所需的硅碳棒的支數(shù)量。最后根據(jù)外接電路和調(diào)壓設(shè)備確定每一只棒的電阻值。硅碳棒溫度越高壽命越短。

　　特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請(qǐng)盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。表面負(fù)荷密度=額定功率(W)/ 發(fā)熱部表面積(cm2)。負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快， SIC棒的壽命短。因此，碳化硅板表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。

　　在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長(zhǎng)。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長(zhǎng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，碳化硅板阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)(270℃)附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時(shí)經(jīng)常急劇增加電阻。

　　如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線時(shí)建議使用開放三角形接線。

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