AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯
據(jù)了解,AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間,要大幅高于DBC工藝的15N/mm,更適合精密度高的陶瓷基板電路板,這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性,導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上,且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻,能提升電池效率,對SiC上車并改善新能源汽車應用有明顯的提升效果。
不過,AMB工藝也還存在一些短板,其技術實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多,對技術要求高,且在良率、材料等方面還有待進一步完善,這使得該技術目前的實現(xiàn)成本還比較高,“AMB被認為是SiC的最佳搭配方案,不過目前AMB基板的成本大約是DBC的3倍左右,這是阻礙它發(fā)展的重要因素。”業(yè)內(nèi)人士進一步指出,“隨著SiC不斷在汽車上取得突破,AMB有望借助新能源汽車的發(fā)展,獲得新的發(fā)展機遇,而且會隨著新能源汽車產(chǎn)銷量的不斷突破而加快滲透。”
AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯,此外在光伏、風電、軌道交通等領域,也對AMB有著巨大需求,市場潛力明顯。
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