士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線預(yù)計(jì)今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]

近日，士蘭微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，SiC生產(chǎn)線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2022年三季度實(shí)現(xiàn)通線。   據(jù)了解，士蘭微2022年?duì)I收主要增長(zhǎng)點(diǎn)主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機(jī)快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示，未來(lái)公司對(duì)集成電路板塊的規(guī)劃和戰(zhàn)略的重點(diǎn)會(huì)放在車規(guī)和工業(yè)級(jí)電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號(hào)鏈和混合信號(hào)處理電路、MEMS傳感器等。  

碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]

據(jù)yole介紹，受汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁推動(dòng)，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場(chǎng)高速增長(zhǎng)。 據(jù)報(bào)告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達(dá)到10億美元的規(guī)模。他們指出，為了滿足長(zhǎng)續(xù)航的需求，800VEV是實(shí)現(xiàn)快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據(jù)報(bào)告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過(guò)提供快速充電功能獲得了不錯(cuò)的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計(jì)劃

國(guó)產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機(jī)加速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[ 04-13 13:16 ]

北京中電科電子裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“北京中電科”）在國(guó)家科技部和電科裝備的大力支持下，依托已有晶圓減薄機(jī)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，突破了高速大扭矩減薄氣浮主軸、高精度晶片減薄厚度精密控制等核心技術(shù)，成功推出了自主研發(fā)的8/12英寸全自動(dòng)晶圓減薄機(jī)的產(chǎn)業(yè)化機(jī)型，目前已有20多臺(tái)不同型號(hào)設(shè)備被用于集成電路材料加工、芯片制造、先進(jìn)封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn)，獲得行業(yè)客戶的高度認(rèn)可。隨著8英寸全自動(dòng)減薄機(jī)在西安封測(cè)龍頭企業(yè)實(shí)現(xiàn)流片，12英寸全自動(dòng)減薄機(jī)在國(guó)內(nèi)多家大型硅片制造企業(yè)實(shí)現(xiàn)Inline生產(chǎn)，設(shè)備各項(xiàng)工藝指標(biāo)

Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]

近期，Microchip宣布擴(kuò)展其SiC產(chǎn)品組合，推出業(yè)界最低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產(chǎn)品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉(zhuǎn)向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術(shù)相對(duì)于基于硅設(shè)計(jì)的諸多優(yōu)勢(shì)。”

安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]

近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效電源的產(chǎn)品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評(píng)估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開(kāi)關(guān)。 圖騰柱PFC