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- 碳化硅陶瓷材料的防彈原理是什么[ 02-10 08:48 ]
- 在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但經(jīng)過(guò)現(xiàn)代科技加工后，碳化硅陶瓷“搖身一變”，成為了一種堅(jiān)硬、高強(qiáng)度的新材料，尤其是在對(duì)材料有特殊物理性能要求的防彈領(lǐng)域，碳化硅陶瓷更是大放異彩，成為非常熱門(mén)的防彈材料。 裝甲防護(hù)的基本原理是消耗射彈能量、使射彈減速并達(dá)到無(wú)害。絕大部分傳統(tǒng)的工程材料，如金屬材料通過(guò)結(jié)構(gòu)發(fā)生塑性變形來(lái)吸收能量，而碳化硅陶瓷材料則是通過(guò)微破碎過(guò)程吸收能量。 碳化硅防彈陶瓷的吸能過(guò)程大致可分為3個(gè)階段。（1）初始撞擊階段：彈丸撞擊陶瓷表面，使彈頭變鈍，在陶瓷表面粉碎形成細(xì)
- 不同防彈陶瓷材料性能對(duì)比[ 02-09 08:45 ]
- 自21世紀(jì)以來(lái)，防彈陶瓷發(fā)展迅速，種類(lèi)較多，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應(yīng)用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高，但硬度相對(duì)較低，加工門(mén)檻較低，價(jià)格較低，依據(jù)純度分為85／90／95／99氧化鋁陶瓷，相應(yīng)的硬度和價(jià)格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對(duì)較低，硬度較高，屬于性?xún)r(jià)比較高的結(jié)構(gòu)陶瓷，因此也是目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低，硬度最高，但同時(shí)其對(duì)加工工藝的要求也很高，需要高溫高壓燒結(jié)，因而成
- APEX微技術(shù)推出SA310碳化硅無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器[ 02-08 10:10 ]
- Q問(wèn)：在沒(méi)有散熱器的情況下，SA310 3相SiC模塊能做什么？ A在空間非常寶貴的情況下，SA310可通過(guò)自己的鎳鋼合金外殼排出內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量。下方的圖來(lái)自SA310數(shù)據(jù)表，表明了在沒(méi)有散熱器的SA310的運(yùn)行點(diǎn)下，供電電壓、供電電流和開(kāi)關(guān)頻率的限制。 在供電電壓、供電電流和開(kāi)關(guān)頻率這三個(gè)參數(shù)中，一個(gè)參數(shù)越高，其他兩個(gè)參數(shù)就必須越低，才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)（或者說(shuō)，才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持在數(shù)據(jù)表內(nèi)的最大額定值以下）。該圖直接表明，在SA310沒(méi)有散熱器的情況下，供電電流（差
- SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結(jié)溫[ 02-06 09:51 ]
- 眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料的10倍左右，最高結(jié)溫可達(dá)600℃……因此，SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達(dá)400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小。“SiC的導(dǎo)熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱(chēng)其新技術(shù)顯著提高了IGBT模
- 鋁碳化硅（AlSiC）材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]
- 鋁碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性： 1）AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時(shí)，其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上； 2）AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過(guò)改變其組成而加以調(diào)整，因此電子產(chǎn)品可按用戶(hù)的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法作到的； 3）AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅
