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聯(lián)系金蒙新材料
- 英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]
- 近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個650V系列。 該產品建立在其先進的SiC溝槽技術之上。與上一代硅(Si)半導體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實現(xiàn)出色的開關性能。這些降低的開關損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。
- AehrTestSystems宣布：收到2230萬碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]
- 近日，AehrTestSystems宣布，其領先的碳化硅已收到超過350萬美元（2230萬人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設計以及多個碳化硅器件的批量生產能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產以滿足電動汽車(EV)半導體的批量生產能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來的8英寸（200毫米）晶圓。
- 國星光電：SiC功率分立器件已完成多個試產訂單[ 04-06 13:39 ]
- 近日，國星光電發(fā)布年度業(yè)績報告，報告期內推出了SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件3大系列產品。 其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實驗線已投入生產運作，可迅速響應對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產品產線已投入使用，并完成了多個合作商的試產訂單。同時，他們也積極布局三代半上游外延芯片領域，子公司國星半導體現(xiàn)已具備硅基GaN芯片相關技術儲備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發(fā)工作，并參與了兩項第三代半導體方向的省級研發(fā)項目。
- 恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的應用[ 04-05 10:37 ]
- 3月21日，恩智浦官網(wǎng)發(fā)布公告稱，他們與日立能源合作，加速在電動汽車中采用碳化硅(SiC)功率半導體模塊。 該項目旨在為由恩智浦GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源SiCMOSFET功率模塊組成的動力總成逆變器提供更高效、可靠和功能安全的基于SiCMOSFET的解決方案。
- 三安：2025年6寸碳化硅晶圓需求達437萬片[ 04-03 10:30 ]
- 近日，三安光電董事長特別助理、北京三安光電有限公司總經(jīng)理陳昭亮演講。陳昭亮指出，2025年全球碳化硅襯底與晶圓的情況將出現(xiàn)供不應求的局面，2025年6寸碳化硅晶圓需求在飽受與樂觀情形下分別為219和437萬片。 根據(jù)Yole預測，車用碳化硅需求占全行業(yè)的60%，其他代表性行業(yè)，光伏、儲能、充電基建、電源、軌交等對碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圓保守估計365萬片。碳化硅產能缺口將達到123萬片，在樂觀情形下達到的728萬片，碳化硅產能的缺口達到468萬片，全球碳化硅襯底與晶圓將出
